LDMOS

Eksempel på to LDMOS-transistorer i ét hus (produktkode BLF861A). Bemærk de brede tilledninger. Grunden til deres bredde er, at radiofrekvensstrømme kun løber i overfladen af metaller. Så for at minske tilledningsresistansen gøres de så brede som et kompromis mellem resistanstab og pris.
Eksempel på en monteret LDMOS-transistorchip (produktkode BLF2045). Drain er foroven (flest påsvejsede små bonding-ledere) og gate forneden. Metalpladen under mikrochippen er source.

En LDMOS-transistor (akronym for laterally diffused metal oxide semiconductor[1]) er en effekt-MOSFET-transistor variant, der anvendes i mikrobølge/RF-effektforstærkere. LDMOS-transistorer bliver ofte fabrikeret på p/p+ silicium epitaxial lag. Fabrikationen af LDMOS enheder omfatter mest forskellige ion-implantationer og efterfølgende mekanisk spændingsudligningscykler.[1]

Silicium-baserede LDMOS FETs er bredt anvendt i RF-effektforstærkere for basisstationer grundet kravet om høj udgangseffekt med en korresponderende drain-til-source breakdown-spænding der sædvanligvis er højere end 60 volt.[2] Sammenlignet med andre enheder såsom GaAs FETs, har LDMOS lavere Ft.

Producenter af LDMOS-enheder og LDMOS teknologier omfatter TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, GlobalFoundries, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, Freescale Semiconductor, NXP Semiconductors, SMIC, MK Semiconductors, Polyfet og Ampleon.

RF-effektforstærkere baseret på en enkelt LDMOS-enhed lider af relativ lav effektivitet når anvendt i 3G og 4G (LTE) netværk, grundet til den høje spids-til-middel-effekt af modulationstyperne; CDMA og OFDMA access teknikker, anvendt i disse kommunikationssystemer. Effektiviteten af LDMOS effektforstærkere kan øges ved at anvende typiske effektivitetsforbedrende teknikker, fx Doherty topologier eller envelope-tracking.[3]

Kilder/referencer

  1. ^ a b A. Elhami Khorasani, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 35, pp. 1079-1081, 2014
  2. ^ van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. s. 69-72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430. {{cite conference}}: Ukendt parameter |booktitle= ignoreret (|book-title= foreslået) (hjælp)
  3. ^ Draxler, P.; Lanfranco, S.; Kimball, D.; Hsia, C.; Jeong, J.; De Sluis, J.; Asbeck, P. (2006). "High Efficiency Envelope Tracking LDMOS Power Amplifier for W-CDMA". 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. s. 1534-1537. doi:10.1109/MWSYM.2006.249605. ISBN 978-0-7803-9541-1.

Eksterne henvisninger

Medier brugt på denne side

BLF861A.jpg
Forfatter/Opretter: Mister rf, Licens: CC BY-SA 4.0
MOSFET UHF 860MHz power LDMOS transistor 150W
BLF2045.jpg
Forfatter/Opretter: Mister rf, Licens: CC BY-SA 4.0
RF Mosfet LDMOS 26V 180mA 2GHz 10dB 30W SOT467C. Designed for broadband operation (1800 to 2200 MHz).