Galliumarsenid

3-D Model af Galliumarsenid

Galliumarsenid (GaAs) er en kemisk forbindelse mellem grundstofferne gallium og arsen. Det er en direkte båndgab-halvleder mellem gruppe 3 og 5, med en zinkblende krystalstruktur.

Galliumarsenid anvendes til fremstillingen af enheder såsom integrerede kredsløb til mikrobølge-frekvenser, infrarøde lysdioder, laserdioder, solceller og optiske vinduer.^[1]

GaAs anvendes ofte som et substratmateriale til den epitaksiale vækst af andre III-V-halvledere, heriblandt: Indiumgalliumarsenid, aluminumgalliumarsenid og andre.

Noter

Spire Denne artikel om kemi er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den.

Manglende infoboks Nogle af informationerne i denne artikel kunne med fordel samles eller opsummeres i en infoboks, som det anbefales i stilmanualen