Effekt MOSFET

En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.

N-channels:
P-channels:
	depletion IGFET	enhancement IGFET

Transistor symboler for MOSFET som er ét eksempel på en IGFET.
Langt de fleste effekt MOSFET er af enhancementtypen
- dvs. at deres kanal er ikke-ledende for Vgs=0V.

Specifik modstand som funktion af maksimal design Vds spænding. Den stiblede linje er hvad en ideel siliciumbaseret effekt MOSFET kan opnå.

En effekt MOSFET (eller power MOSFET – fabrikant salgsnavne: VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter lavet af halvlederfaststof og formet som en chip og pakket ind i et hus med typisk tre ben (også kaldet terminaler). Deres formål i næsten al elektronik er at forstærke elektriske signaler (analog styring) eller fungere som en elektrisk kontakt (digital styring).

Effekt MOSFET anvendes hovedsageligt med digital styring i effektelektronik som f.eks. SMPS (f.eks. vekselrettere), elmotor-kommutering, udgangsforstærkere, radiosendere, fjernsyn.

En effekt MOSFET er en speciel MOSFET transistorversion, som er optimeret til at lede og spærre for store elektriske strømme (mere end 100 ampere eller mere end 1000 volt) i en brik på ca. 1 cm³. Den høje ydelse nås ved hjælp af en halvlederstruktur, som parallelkobler mange del-MOSFET linjer/baner på stort set hele chip-overfladen.

Det skal bemærkes at effekt MOSFET-transistorer i modsætning til bipolare transistorer ikke har en secondary breakdown-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.

Fra ca. 1980 til 2010 er effekt MOSFETs FOM (Figure-of-Merit) blevet 40 gange mindre (bedre).^[1]

Se også

Kilder/referencer

^ Sep 1, 2010, powerelectronics.com: eGaN(tm)-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM), backup, pdf, backup Citat: "...FOM (Figure-of-Merit) is a useful method to compare power devices and has been used by MOSFET manufacturers to show both generational improvements and competitive devices:...Fig. 2 Rds(on) vs. QGD for different power transistors...during the past 30 years of MOSFET improvement, the switching FOM has gone down by a factor of 40!..."

Eksterne henvisninger

Generelt

Webarchive backup: microsemi.com: Introduction to Power MOSFETs (pdf)
infineon.com: Power MOSFET Basics (pdf)

Teknisk

Spire

Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den.

[1] Sep 1, 2010, powerelectronics.com: eGaN(tm)-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM), backup, pdf, backup Citat: "...FOM (Figure-of-Merit) is a useful method to compare power devices and has been used by MOSFET manufacturers to show both generational improvements and competitive devices:...Fig. 2 Rds(on) vs. QGD for different power transistors...during the past 30 years of MOSFET improvement, the switching FOM has gone down by a factor of 40!..."

[1]

Navigation

navigation

Themenportale