Diffus axonal skade

Diffus axonal skade
Sårbarhedsvægtet bilede (SWI) af diffus axonal skade ved et traume med 1,5 teslaer (højre)
Klassifikation og eksterne ressourcer
eMedicineradio/216
MeSHD020833

Diffuse axonal skade (DAI) er en hjerneskade hvor skader i form af ekstensive læsioner i hvid substans-tragter sker over et stort areal. DAI er en af de mest almindelig og ødelæggende typer af traumatisk hjerneskade,[1] og er en stor årsag til bevidstløshed og vedvarende vegetativ tilstand efter voldsomme hovedtraumer.[2] Det sker hos cirka halvdelen af alle voldsomme hovedtraumer og kan være den primære skade der sker ved hjernerystelse. Udfaldet er ofte koma, hvor mere end 90 % af alle patienter med voldsom DAI aldrig genvinder bevidsthed.[2] Dem der vågner op forbliver ofte signifikant svækket.[3]

DAI kan opstå i enhver sværhedsgrad fra meget mild eller moderat, til meget voldsom.[4] Hjernerystelse kan være en mildere type af diffus axonal skade.

Referencer

  1. ^ Iwata A., Stys P.K., Wolf J.A., Chen X.H., Taylor, A.G., Meaney D.F., and Smith D.H. (2004). Traumatic axonal injury induces proteolytic cleavage of the voltage-gated sodium channels modulated by tetrodotoxin and protease inhibitors Arkiveret 15. marts 2009 hos Wayback Machine. The Journal of Neuroscience. 24 (19): 4605—4613.
  2. ^ a b Wasserman J. and Koenigsberg R.A. (2007). Diffuse axonal injury Arkiveret 13. oktober 2019 hos Wayback Machine. Emedicine.com. Retrieved on 2008-01-26.
  3. ^ Vinas F.C. and Pilitsis J. (2006). Penetrating head trauma Arkiveret 13. september 2005 hos Wayback Machine. Emedicine.com. Retrieved on 2008-01-14.
  4. ^ Smith, D.H. and Meaney D.F. (2000). Axonal damage in traumatic brain injury Arkiveret 11. november 2005 hos Wayback Machine. The Neuroscientist. 6 (6): 483—495.

Medier brugt på denne side

Compare SWI and GRE Trauma.png
Forfatter/Opretter: SBarnes, Licens: CC BY-SA 3.0
Susceptibility weighted image (SWI) of diffuse axonal injury in trauma at 1.5 Tesla. Conventional GRE (left) with TE=20 ms and SWI (right) with TE=20 ms.