2N3055-familien

2N3055 transistor monteret på en aluminumbaseret køleplade. En glimmer isolator isolerer elektrisk mellem transistorens hus og køleplade.
En (formentlig ældre) 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses.
En 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses og denes påsvejsede bonding wires.

2N3055-familien omfatter bipolare transistorer, som er baseret på mikrochips, der deler egenskaber. Ifølge JEDEC JESD370B fra 1982 hedder den husuafhængige 2N3055-families mikrochip 2C3055. 2N3055-familien er bipolare transistor baseret på silicium og er af polariteten NPN.

2N3055

En yderst kendt repræsentant er transistoren med produktkoden 2N3055. 2N3055 blev introduceret i starten af 1960'erne af RCA og som anvendte en hometaxial effekttransistor proces. I midten af 1970'erne gik man over til en epitaxial base.[1] 2N3055 produktkode følger JEDEC JESD370B-standarden.[2] 2N3055 er en transistorrepræsentant, som stadig (2012) er populær, grundet god pris i forhold til ydelse.[3][4][5]

Historie

2N3055 transistorer har mange anvendelser i effekt kredsløb, inklusiv vekselrettere og lineære spændingsregulatorer.

2N3055 var designet til middelstrømme og højeffekt kredsløb. Kommercielt blev 2N3055 anvendt i mange lineære strømforsyninger, effektforstærkere og lavfrekvens vekselrettere. 2N3055 blev også lavet af mange andre producenter; Texas Instruments lister en mesa version i august 1967 databladet.[6]

Adskillige versioner af 2N3055 er stadig i produktion; den anvendes i audio effektforstærkere som kan yde op til 40W i 8 ohms belasninger[7] i en push–pull-konfiguration (med 2N2955).

F.eks. anvendes 2N3055 og dens komplementære 2N2955 i den prisgunstige og legendariske NAD 3020.[8][9][10]

Specifikationer

De eksakte ydelseskarakteristikker afhænger af producenten. 2N3055 har et TO-3 lignende hus,[11] men andre i 2N3055-familien kan have andre huse.

Det skal bemærkes at 2N3055A udgaven har en højere secondary breakdown-grænseknæ på Vce=60V,[12] hvilket er højere end den normale 2N3055, som har secondary breakdown-grænseknæ på Vce=40V.[13] Secondary breakdown-kurven falder hurtigere end den termiske effektgrænse. Grunden er, at der er termiske hot-spots i basis-emitter-regionen.

I forhold til at 2N3055-transistorchippen blev designet i 1960'erne, havde den en fremragende secondary breakdown-grænseknæ – og en ganske god secondary breakdown-grænseknæ sammenlignet med mange af eftertidens effekttransistorer.

I dag findes der væsentligt bedre bipolare transistorer, som har en væsentlig højere (og højere Vce(max)) eller slet ingen secondary breakdown-grænseknæ (f.eks. ring-emitter transistorer[14]), men deres pris er væsentlig højere end 2N3055, hvilket er hovedårsagen til at 2N3055 stadig er populær.

Tabel over 2N3055-lignende transistorer med 2C3055 mikrochip

Be-
nævn-
else
Hus-
type
Mulig
komple-
mentær
Vceo
(V)
max
Vsecon-
dary
break-
down
knæ
(V)
Ic
(A)
max
Ib
(A)
max
Tj
(°C)
max
Ptot
@case=
25 °C
(W)
max
Rjc
(°C/W
=K/W)
max
hFE
=beta
@Ic=4A
@Vce=4V
(A/A)
min..max
(typ)
Cib
(pF)
typ
(max)
Cbc
(pF)
typ
(max)
Cbo
(pF)
typ
(max)
Ft
@Ic=0,5A
@Vce=10V
(MHz)
min(typ)
Databladskilder
2N3055TO-32N295560401572001171,5220-70???2,5ON-Semiconductor[12]
2N3055TO-32N295560?15?200115?20-70???0,8Mullard Quick Reference Guide 1977/78[15]
2N3055ATO-3?60601572001151,5220-70???0,8ON-Semiconductor[16]
MJ15015TO-3MJ15016120601572001800,9820-70???0,8ON-Semiconductor (Motorola produktkode)[16]
2N3055CTO-3?60?157200117?20-160???0,8STE[17]
2N3055UTO-3?80?157200117?20-250???0,8STE[18]
2N3055VTO-3?60?157200150?20-250???0,8KELTRON[19]
2N3055ETO-3?60?15??115?20-70???(2,5)Seme Lab[20]
2N3055HVTO-3?100?15??90?20-100???2,5Continental Device India Limited[21]
2N3055-1TO-3?40?157200117?20-70???0,8KELTRON[22]
2N3055-2TO-3?40?157200117?10-70???0,8KELTRON[23]
2N3055-3TO-3?100?157200117?20-70???0,8KELTRON[24]
2N3055-4TO-3?30?157200117?30-70???0,8KELTRON[25]
2N3055-5TO-3?30?157200117?14???0,8KELTRON[26]
2N3055-6TO-3?100?157200117?15-70???0,8KELTRON[27]
2N3055-7TO-3?100?157200117?15-70???0,8KELTRON[28]
2N3055-8TO-3?100?157200117?70???0,8KELTRON[29]
2N3055-9TO-3?55?157200117?14-70???0,8KELTRON[30]
2N3055-10TO-3?55?157200117?70???0,8KELTRON[31]
BDY20TO-3?60?15?200115?20-70???1,0Mullard Quick Reference Guide 1977/78[15]
BD182TO-3?60?15??117?20-70????Mullard Quick Reference Guide 1977/78[15]
BD183TO-3?80?15??117?20-70????Mullard Quick Reference Guide 1977/78[15]
2N3054TO-66?55?4??25?????(0,8)Seme Lab[32]
2N3054ATO-37?60?4?20075?25-150???3Fairchild[33]
2N3054STO-37?55?4?20025?25-200???0,8Fairchild[34]
MJ3055TO-3MJ295560?10?200115?20-70???(2)Seme Lab (Motorola produktkode)[35]
MJE3055TTO-220MJE2955T60?106150751,6620-70???2STMicroelectronics (Motorola produktkode)[36]
MJE3055TTO-220MJE2955T603510615075?20-70???2Fairchild[37]
TIP3055TTO-220TIP2955T6040104150751,6720-70???2Philips (Texas Instruments produktkode)[38]
TIP3055TO-247
ca.=
TO-3P
TIP295560?15715090?20-70????STMicroelectronics (Texas Instruments produktkode)[39]
2N3055ESMDTO-276
SMD
?60?15??115?20-70???(2,5)Seme Lab[40]
KSH3055TO-252
D-PAK/I-PAK
SMD
KSH2955606010615020?20-100???2Fairchild[41]
MJD3055TO-252
D-PAK/I-PAK
SMD
MJD2955606010615020?20-100???2Fairchild[42]
2C3055mikrochip2C295560?4?????????STi[43]

Tabel over MOSFETs, som ligger i slipstrømmen af 2N3055-succesen

Tabel over effekt MOSFET-transistorer, som har en lignende strømgrænse og spændingsgrænse (60V) som 2N3055-familien – og med 3055 som produktkode tal. Det skal bemærkes, at effekt MOSFET-transistorer:

  • ikke har en "secondary breakdown"-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.
  • er langt hurtigere end 2N3055-familien.
  • 2N3055 har en Vce(sat)(max)=3V ved 10A ved Ib=3,3A, hvor den "ringeste" specificerede effekt MOSFET fra tabellen (MTP3055VL) har en Rds(on)(max)=0,18 ohm og ved 10A svarer det til 1,8V. Da effekt MOSFET kun skal have gate-strøm ved spændingsændringer er Igate=0A – inkl. ved Ids=10A.
  • ikke uden videre kan erstatte en 2N3055, da der skal ændres i kredsløbsdesignet for at disse effekt MOSFET kan anvendes.
Be-
nævn-
else
Hus-
type
Hus-
stem-
pel.
SMD
kun
eks.
[44]
Vds
(V)
max
Id
(A)
max
Vgs
(V)
max
Tj
(°C)
max
Ptot
@amb=
25 °C
(W)
max
Rjc
(°C/W
=K/W)
max
gfs
@Vds=10V
@Id=0,2A
(A/V)
min..max
(typ)
LL=
logic-level
Rds(on)
@Vds ca.=5V
@Id=0,2A
(ohm)
typ
(max)
Ciss
(pF)
typ
(max)
Crss
(pF)
typ
(max)
Coss
(pF)
typ
(max)
Ton
(nS)
typ(max)
Toff
(nS)
typ(max)
Databladskilder
MTP3055VTO-220?601220175483,1350,15(500)(50)(180)(54)(125)Fairchild[45]
MTP3055VLTO-220?601215175483,13(8,7) LL0,18(570)(40)(160)(210)(120)Fairchild[46]
RFD3055TO-251AA?601220175532,8??30030100??Fairchild[47]
RFP3055TO-220AB?601220175532,8??30030100??Fairchild[47]
NTD3055-094DPAK
DPAK-3
SMD
?6012?175483,136,70,094323(450)34(70)107(150)40(85)49(100)[48]
NTD3055L170DPAK
DPAK-3
SMD
?6091517528,55,27,3 LL0,17195(275)29(42)70(100)79(170)48(100)[49]
NTF3055-100SOT-223
SMD
?60320175?72,53,20,11324(455)110(155)35(50)24(50)34(75)ONsemi[50]
NTF3055L108SOT-223
SMD
?603151752,172,55,7 LL0,092(0,12)313(440)112(160)40(60)46(95)49(105)ONsemi[51]

Kilder/referencer

  1. ^ Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (november 2001). "The 2N3055: a case history". IEEE Transactions on Electron Devices. 48 (11): 2477-2484. doi:10.1109/16.960371.{{cite journal}}: CS1-vedligeholdelse: Flere navne: authors list (link)
  2. ^ S M Dhir (1999), Electronic Components and Materials, Tata McGraw-Hill Education, ISBN 978-0-07-463082-2, arkiveret fra originalen 6. juli 2020, hentet 7. juli 2012
  3. ^ P. Horowitz and W. Hill (2001). The art of electronics (2nd udgave). Cambridge University Press. s. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. Arkiveret fra originalen 16. juli 2020. Hentet 7. juli 2012. the ever-popular 2N3055
  4. ^ Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd udgave). McGraw-Hill Professional. s. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. Arkiveret fra originalen 7. juli 2020. Hentet 7. juli 2012. For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055
  5. ^ Rudolf F. Graf and William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. s. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. Arkiveret fra originalen 15. september 2020. Hentet 7. juli 2012. The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters.
  6. ^ The Power Semiconductor Data Book for Design Engineers First Edition, Texas Instruments Incorporated, publication no. CC-404 70977-22-IS, no date, page 5-75
  7. ^ IOSS Group (2008). IOSS Applications Electronic Audio Circuits Sourcebook. Vol. 1. s. 52–53. ISBN 1-4404-7195-9. Hentet 2011-03-25. (Webside ikke længere tilgængelig)
  8. ^ Web archive backup: January 8, 2012, elcircuits.com: NAD 3020 Amplifier Legendary Audiophiles Amp 2N2955 2N3055 Transistor Circuit
  9. ^ diagram, service manual
  10. ^ "stardi.com: NAD 3020 Amplifier Audiophiles Class Legendary Amp Circuit 2N2955 2N3055". 23. maj 2010. Arkiveret fra originalen den 6. marts 2012. Hentet 7. marts 2014.{{cite web}}: CS1-vedligeholdelse: BOT: original-url status ukendt (link)
  11. ^ On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. December 2005: "2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)" Arkiveret 8. juli 2015 hos Wayback Machine, semelab-tt.com: 2N3055E (Webside ikke længere tilgængelig), radiomuseum.org: 2N3055 Arkiveret 13. januar 2012 hos Wayback Machine, radiomuseum.org: BDY20 Arkiveret 3. november 2013 hos Wayback Machine
  12. ^ a b "youtube.com: Secondary breakdown in bipolor junction transistors". Arkiveret fra originalen 31. marts 2016. Hentet 9. august 2015.
  13. ^ "On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. December 2005: "2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)"" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 8. juli 2015. Hentet 7. juli 2012.
  14. ^ 2SA1075 Arkiveret 25. oktober 2018 hos Wayback Machine Citat: "...PNP silicon RET (ring emitter transistor) intended as AF power amplifier..."
  15. ^ a b c d datasheets.org.uk: Mullard Quick Reference Guide 1977/78 (Webside ikke længere tilgængelig)
  16. ^ a b "onsemi.com: 2N3055A" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 23. juli 2008. Hentet 7. juli 2012.
  17. ^ "alltransistors.com: 2N3055C". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  18. ^ "alltransistors.com: 2N3055U". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  19. ^ "alltransistors.com: 2N3055V". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  20. ^ semelab-tt.com: 2N3055E (Webside ikke længere tilgængelig)
  21. ^ datasheets.org.uk: Continental Device India Limited: 2N3055HV (Webside ikke længere tilgængelig)
  22. ^ "alltransistors.com: 2N3055-1". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  23. ^ "alltransistors.com: 2N3055-2". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  24. ^ "alltransistors.com: 2N3055-3". Arkiveret fra originalen 21. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  25. ^ "alltransistors.com: 2N3055-4". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  26. ^ "alltransistors.com: 2N3055-5". Arkiveret fra originalen 21. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  27. ^ "alltransistors.com: 2N3055-6". Arkiveret fra originalen 21. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  28. ^ "alltransistors.com: 2N3055-7". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  29. ^ "alltransistors.com: 2N3055-8". Arkiveret fra originalen 21. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  30. ^ "alltransistors.com: 2N3055-9". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  31. ^ "alltransistors.com: 2N3055-10". Arkiveret fra originalen 20. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  32. ^ "semelab-tt.com: 2N3054" (PDF). Arkiveret fra originalen (PDF) 5. marts 2016. Hentet 7. juli 2012.
  33. ^ "alltransistors.com: 2N3054A". Arkiveret fra originalen 19. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  34. ^ "alltransistors.com: 2N3054S". Arkiveret fra originalen 19. maj 2012. Hentet 13. juli 2012.
  35. ^ datasheets.org.uk: MJ3055 (Webside ikke længere tilgængelig)
  36. ^ "st.com: MJE3055T" (PDF).
  37. ^ "fairchildsemi.com: MJE3055T". Arkiveret fra originalen 27. december 2004. Hentet 13. juli 2012.
  38. ^ st.com: TIP3055 (Webside ikke længere tilgængelig)
  39. ^ "st.com: TIP3055" (PDF).
  40. ^ "semelab-tt.com: 2N3055ESMD" (PDF). Arkiveret fra originalen (PDF) 5. marts 2016. Hentet 8. juli 2012.
  41. ^ "fairchildsemi.com: KSH3055". Arkiveret fra originalen 13. oktober 2004. Hentet 13. juli 2012.
  42. ^ "fairchildsemi.com: MJD3055". Arkiveret fra originalen 12. juni 2009. Hentet 13. juli 2012.
  43. ^ "semi-tech-inc.com: 2N3055DIE". Arkiveret fra originalen 5. december 2011. Hentet 9. juli 2012.
  44. ^ "GM4PMK's SMD Codebook". Arkiveret fra originalen 17. maj 2016. Hentet 14. juli 2012.
  45. ^ "fairchildsemi.com: MTP3055V" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 19. marts 2013. Hentet 14. juli 2012.
  46. ^ "fairchildsemi.com: MTP3055VL" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 28. november 2006. Hentet 14. juli 2012.
  47. ^ a b fairchildsemi.com: RFD3055
  48. ^ "onsemi.com: NTD3055-094" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 21. juni 2019. Hentet 14. juli 2012.
  49. ^ "onsemi.com: NTD3055L170" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 28. marts 2018. Hentet 14. juli 2012.
  50. ^ "onsemi.com: NTF3055-100" (PDF).
  51. ^ "onsemi.com: NTF3055L108" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 21. juni 2019. Hentet 14. juli 2012.

Eksterne henvisninger

Wikimedia Commons har medier relateret til:

Medier brugt på denne side

Toshiba 2n3055 transistor.jpg
Forfatter/Opretter: Mataresephotos, Licens: CC BY 3.0
A Toshiba-made 2N3055 power bipolar junction transistor.
2N3055 freigelegter die.jpg
(c) Stefan Riepl, CC BY-SA 2.0 de
Freigelegter Transistorchip eines 2N3055ers. Bipolarer NPN-Transistor, 15A, 60V, Hersteller: ST, Kaufdatum: 2007
PowerTransistor 2N3055 1.jpg
Forfatter/Opretter: Rolf Süssbrich Rsuessrb, Licens: CC BY-SA 3.0
Power Transistor 2N3055 opened to see internals. Manufacturer unknown, unstamped "out-of-spec" (cheap) quality. Technolgy of the 1980's. Collector, Base and Emitter are marked.
2N3055 NPN Transistor.jpg
2N3055 NPN transistor TO-3